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中芯国际推出差同化的0.13微米低功耗嵌入式工艺
公布日期:2014-5-12 22:33:54  欣赏次数: [返回上一页]

 中国内地范围最大、技能最进步前辈的集成电路晶圆代工企业颁布发表,其0.13微米低功耗(LL)的嵌入式闪存(eFlash)工艺已正式进入量产。该技能是中芯国际NVM非挥发性记忆体平台的持续,为客户供给了一个下机能、低功耗和低成本的好同化解决方案。

中芯国际的0.13微米嵌入式闪存技能平台可为客户供给以下劣势:
强耐度:具有高达300K周期的良好的轮回擦写本领,到达业界尺度的三倍;极具本钱效益:造程立异,利用较少的工艺步调;低泄电工艺得当极低功耗的利用并提拔机能及可靠性:后段接纳铜制程(Cu-BEoL)得当必要下电流密度的利用。
中芯国际的0.13微米低功耗嵌入式闪存技能具有片面的IP,包罗如PLL 、ADC 、LDO、USB等,同时交融了该技能低功耗、 下机能和下可靠性的特性,可适用于具有低功耗需求的遍及的微控制器(MCU)利用包罗挪动装备、智能卡等。别的,中芯国际预期将供给RF、汽车电子、物联网(IoT)方面的利用。
我们为客户对我们0.13微米好同化的嵌入式闪存技能的快速承受和主动反应感触鼓动。中芯国际市场营销和发卖履行副总裁麦克瑞库暗示,我们很欢快天看到0.13微米嵌入式闪存技能正在触摸控制器(TCIC, Touch Controller IC)上的利用已进入量产。按照IHS-iSuppli市场调查表现,触摸控制器的环球需求量将从 2012年起实现21%的年复合增长率,2017年将到达约 27 亿个单位。 
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